結晶育成関連
結晶育成の流れ
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原料
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溶融
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反転
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ネッキング
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結晶育成中
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結晶
1.単結晶育成装置
| 熱源 | 結晶育成方法 |
|---|---|
| アーク放電 | チョクラルスキ－法(CZ法) |
| 仕様 | アーク電極4式 |
|---|---|
| 炉内寸法 | 径300mm × 高さ550mm |
| 温度 | 最高 2200℃ 常用 2000℃ |
2.単結晶育成装置
| 熱源 | 結晶育成方法 |
|---|---|
| 高周波 | 垂直ブリッジマン法(BM法) |
| 仕様 | 水冷2重管式 |
|---|---|
| 炉内寸法 | 径300mm × 高さ550mm |
| 温度 | 最高 2200℃ 常用 2000℃ |
| 熱電対 | 放射温度計 |
3.単結晶育成装置
| 熱源 | 結晶育成方法 |
|---|---|
| タングステン | 垂直ブリッジマン法(BM法) |
| 仕様 | 3ゾーン |
|---|---|
| 炉内寸法 | 径300mm × 高さ550mm |
| 温度 | 最高 2200℃ 常用 1800℃ |
| 熱電対 | W-WRe |
4.単結晶育成装置
| 熱源 | 結晶育成方法 |
|---|---|
| タングステン | 垂直ブリッジマン法(BM法) |
| 仕様 | 1ゾーン |
|---|---|
| 炉内寸法 | 径300mm × 高さ550mm |
| 温度 | 最高 2200℃ 常用 1800℃ |
| 熱電対 | W-WRe |
熱処理関連
| 仕様 | タングステンメッシュヒータ－炉 |
|---|---|
| 炉内 寸法 |
径129mm × 高さ434mm |
| 温度 | 最高 2000℃ 常用 1800℃ |
| 仕様 | 垂直ブリッジマン炉(BM法) |
|---|---|
| 加熱部+ 急冷却部 |
2ゾ－ン式 |
| 温度 | 最高 1300℃ 常用 1250℃ |
| 仕様 | 3ゾ－ン溶解炉 |
|---|---|
| 炉内寸法 | 径129mm × 高さ434mm |
| 温度 | 最高 1300℃ 常用 1250℃ |
ホットセル内用溶解炉(高周波加熱) マニピレ－タによるハンドリング
るつぼ傾鋳式溶解炉 鋳込み用
常用温度1500度
常用温度1500度
融点測定装置（高周波加熱）
常用温度2900度
常用温度2900度
多目的単結晶育成炉(高周波加熱)
常用温度2500度
常用温度2500度
溶解炉（高周波加熱）
常用温度1800度
常用温度1800度
ハ－ス 横移動型 4面使用可能
ハ－ス 回転型 アルゴン雰囲気中ルツボの封入も可能
真空封入装置
加速器関連
各種検出器
ビーム移送系
偏向ダクト
イオン引き出し電極
スリット ビームモニタ－ ファラデ－カップ
宇宙工学関連
JAXAに噴射器・ノズル部の実験装置を納品
自社研究開発
チョクラルスキ－法(CZ法)による単結晶育成 トライ中
